مواد پوشش PVD
-
![هدف پراکنده 4N ZrO2 با صفحه پشتی مس]()
هدف پراکنده 4N ZrO2 با صفحه پشتی مساهداف کندوپاش دی اکسید زیرکونیوم ما با صفحات پشتی با استفاده از مواد-زیرکونیوم دی اکسید با خلوص بالا ساخته می شوند که به طور ایمن به یک صفحه پشتی فلزی متصل شده اند. این طراحی اتلاف سریع گرما و...بیشتر -
![هدف کندوپاش ZrC با صفحه پشتی مس]()
هدف کندوپاش ZrC با صفحه پشتی مساهداف کندوپاش زیرکونیوم کاربید (ZrC) ما با صفحات پشتی مسی دارای پیوند محکمی بین مواد هدف ZrC{0}}با خلوص بالا و پوشش مسی هستند. این طراحی هدایت حرارتی و الکتریکی عالی را تضمین می کند، اتلاف سریع...بیشتر -
![Ta 5at% دوپ شده ZrC Sputtering Target]()
Ta 5at% دوپ شده ZrC Sputtering Targetدوپینگ دقیق زیرکونیوم کاربید با نسبت 5 درصد اتمی تانتالوم به طور قابل توجهی مقاومت در برابر حرارت، مقاومت در برابر شوک حرارتی و مقاومت در برابر خوردگی ماده مورد نظر را افزایش می‌دهد. با داشتن خلوص...بیشتر -
![4N IGZO Sputtering Target]()
4N IGZO Sputtering Targetاهداف کندوپاش 4N IGZO ما عملکرد کندوپاش پایدارتر و کارآمدتری را ارائه می دهند. برای کاربردهای نمایشگر{2}بالا و نیمه هادی ها تخصصی، آنها تحرک برتر الکترون و وضوح تصویربرداری را تسهیل می کنند.بیشتر -
![هدف 4N HfO2 با صفحه پشتی مس]()
هدف 4N HfO2 با صفحه پشتی مسهدف پراکنده 4N HfO2 با پشتی مسی از مواد اکسید هافنیوم با خلوص 99.99 درصد استفاده می کند. یکپارچه با پشتی مسی، هدایت حرارتی عالی را ارائه می دهد و برای فرآیندهای پوشش نوری، تولید نیمه هادی و...بیشتر -
![4N HfO2 دوپ شده با هدف 2% Ti]()
4N HfO2 دوپ شده با هدف 2% Tiهدف کندوپاش 2% Ti-دوپ شده HfO2 با استفاده از یک بستر اکسید هافنیوم با خلوص بالا، دقیقاً با 2% تیتانیوم ساخته شده است. که با یکنواختی ترکیبی و چگالی بالا مشخص می شود، برای کاربردهای پوشش نوری، رسوب...بیشتر -
![4N HfO2 هدف کندوپاش]()
4N HfO2 هدف کندوپاشهدف پاشش دی اکسید هافنیوم 4N با خلوص بالا (99.99% خلوص)—مناسب برای کاربرد در پوشش های نوری، نیمه هادی ها و الکترونیک دقیق. دارای چگالی بالا، ترکیب یکنواخت و عملکرد کندوپاش پایدار.بیشتر -
![هدف پراکنده کربن 4N قابل تنظیم]()
هدف پراکنده کربن 4N قابل تنظیماهداف کندوپاش کربن 4N با خلوص بالا- ما از مواد کربن خالص 99.99 درصد ساخته شده‌اند که دارای سطوح ناخالصی پایینی هستند و آنها را برای کاربرد در نیمه‌رساناها، لایه‌های نازک نوری، و پوشش‌های تحقیقات...بیشتر -
![B4C Sputtering Target]()
B4C Sputtering Targetاین محصول با استفاده از مواد اولیه کاربید بور با خلوص بالا- دارای سختی استثنایی و پایداری حرارتی قوی است که آن را برای کاربرد در تولید نیمه هادی، پوشش های نوری و ساخت فیلم های مقاوم در برابر سایش...بیشتر -
![اهداف سفارشی کندوپاش بور]()
اهداف سفارشی کندوپاش بورما اهداف بوری با خلوص{0} بالا و متراکم کاملاً مناسب برای فرآیندهای نیمه هادی و پوشش ارائه می کنیم. ما از ساخت سفارشی بر اساس نقشه های فنی پشتیبانی می کنیم و سطوح ناخالصی را به شدت کنترل می کنیم تا...بیشتر -
![هدف تنگستن گرد 3N5 سفارشی]()
هدف تنگستن گرد 3N5 سفارشیما اهداف تنگستن دایره ای سفارشی-با خلوص 3N5 (99.95%) را ارائه می دهیم. آنها که با استفاده از متالورژی پودر ساخته می شوند، دارای ساختار یکنواخت، چگالی بالا و عاری از تخلخل و ناخالصی هستند. آنها به...بیشتر -
![هدف کندوپاش Hf با خلوص بالا سفارشی شده است]()
هدف کندوپاش Hf با خلوص بالا سفارشی شده استما اهداف کندوپاش هافنیومی با خلوص بالا-ساخت سفارشی- با خلوص بیش از 99.9 درصد، دارای چگالی یکنواخت و ریزساختار ظریف ارائه می‌کنیم. به طور خاص برای تراشه های نیمه هادی، پوشش های نوری و کاربردهای...بیشتر
ما تامین کنندگان مواد پوشش پی وی دی حرفه ای در چین هستیم و در ارائه خدمات سفارشی با کیفیت بالا تخصص داریم. ما به گرمی از شما استقبال می کنیم که مواد پوشش پی وی دی با تخفیف را در اینجا خریداری کنید و نمونه رایگان را از کارخانه ما دریافت کنید. برای مشاوره قیمت با ما تماس بگیرید.