توضیحات محصولات
ما اهداف کندوپاش ایندیوم گالیوم روی اکسید (IGZO) را با کیفیت بالا و قیمت رقابتی پردازش می کنیم. هدف کندوپاش IGZO که نام کامل آن ایندیم گالیوم زینک اکساید هدف است که شامل چهار عنصر ایندیم (In)، گالیم (Ga)، روی (Zn) و اکسیژن (O) است. IGZO نوع جدیدی از مواد نیمه هادی با تحرک الکترون بالاتر از سیلیکون آمورف (-Si) است. IGZO به عنوان یک ماده کانال در نسل جدیدی از ترانزیستورهای لایه نازک (TFT) با کارایی بالا برای بهبود وضوح صفحه نمایش و امکان ساخت تلویزیون های OLED با صفحه نمایش بزرگ استفاده می شود.
کاربرد
اهداف کندوپاش IGZO برای رسوب لایه نازک، معمولاً برای پیل سوختی، تزئین، نیمه هادی، نمایشگر، دستگاه های LED و فتوولتائیک، پوشش شیشه ای و غیره استفاده می شود. از کاربردهای لایه های نازک IGZO می توان به فیلم های اکسید رسانای شفاف، نمایشگر LED، دستگاه های MEMS و غیره اشاره کرد. .
امکانات
ایندیوم گالیوم زینک اکسید ما (IGZO) اهداف کندوپاش با اشکال مختلف مانند دیسک، مستطیل، ستون، پله و شکل سفارشی. قطر معمولی برای اهداف دایره ای شامل 1 اینچ، 2 اینچ، 3 اینچ، 4 اینچ یا 5{8}} میلی متر، 6{10}} میلی متر، 80 میلی متر، 100 میلی متر و غیره است. ضخامت معمولی شامل 0.125 اینچ و 0.25 اینچ یا 3 میلی متر است. ، 4 میلی متر، 5 میلی متر، 6 میلی متر و غیره
اهداف کندوپاش ما را می توان به عنوان درخواست مجدد با صفحه پشتی مسی پیوند داد. خلوص، شکل و اندازه های مختلف را نیز می توان برای اهداف کندوپاش گالیوم روی اکسید ایندیوم (IGZO) سفارشی ساخت. شما می توانید درخواست خود را برای ما ارسال کنید.
از انتخاب مواد اولیه تا کنترل دما، فشار و زمان پخت پرس داغ، ما به شدت از فرآیند تولید خاص پیروی می کنیم، بنابراین اهداف کندوپاش سرامیکی تمام شده دارای ویژگی های خلوص بالا، چگالی بالا، رنگ سطح یکنواخت بدون لکه و کرک، کاربر نهایی می تواند نرخ فرسایش ثابت و لایه های نازک خالص و همگن بالا را در طول فرآیند PVD بدست آورد.
ایندیوم گالیوم اکسید روی هدف کندوپاش
خلوص: 99.99%;
روش تولید: تف جوشی پرس داغ
ابعاد موجود:
دایره ای: قطر=1، 2، 3" و 4"، اندازه های دیگر را می توان سفارشی کرد
مستطیل: طول=3mm و 6mm
تگ های محبوب: ایندیوم گالیوم اکسید روی (igzo) هدف کندوپاش، چین ایندیوم گالیوم اکسید روی (igzo) کندوپاش، کارخانه
